AMD下一代Zen 6 CPU将于今年推出，关于其CCD的一些信息被泄露，它将采用台积电N2（2nm）工艺节点技术进行生产。一位爆料者称，AMD即将推出的Zen 6 CPU 架构将配备比Zen 5更大的L3缓存，以弥补该架构传闻中更大的12核CCD设计。
上一次出现类似的变革还是在Zen 3时代，当时AMD将其8核设计进行统一，以共享统一的三级缓存。Zen 2和前几代虽然也是8核CCD，但每4个核心为一组被分成了两个独立的CCX（核心复合体）。如果一个CCX上的核心想要访问另一个CCX上的数据，就必须通过CPU的Infinity Fabric总线来传输。
基于AMD下一代"Zen 6"微架构的标准CCD，其核心数量将增加50%。这将是AMD首次在包含能够维持高时钟频率的全尺寸CPU核心的CCD上增加核心数量。在此之前，AMD一直通过使用具有更低时钟速度限制的紧凑型核心来开发高核心数的 CCD。标准"Zen 6"CCD的裸片尺寸预计与当前的"Zen 5"CCD相近，传闻其裸片尺寸为 76 mm²，略大于"Zen 5"CCD的71 mm²。
"Zen 6"CCD预计将封装12个CPU核心，所有核心都属于单个CCX。全部12个核心共享48 MB的L3缓存。因此，CPU核心数量和L3缓存容量相比"Zen 5"都增加了50%。
AMD将使用台积电N2（2nm）工艺节点制造"Zen 6"CCD，该工艺相比当前用于制造"Zen 5"CCD的台积电N4P（4 nm FinFET）显然能提供晶体管密度的巨大提升。
鉴于英特尔在其部分高端酷睿Ultra 400"Nova Lake-S"桌面处理器上转向缓存再平衡、倾向于大容量末级缓存的策略，AMD预计将为"Zen 6"CCD提供完整的3D V-Cache能力，该公司下一代X3D处理器的每个CCD可能配备144 MB的L3缓存，因此在桌面AM5插槽上最高可达288 MB的L3缓存。
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